2025年9月10日，第二十一届北京分析测试学术报告会暨展览会（The 21st Beijing Conference & Exhibition on Instrumental Analysis，BCEIA 2025） 在北京·中国国际展览中心（顺义馆）顺利召开。2025年适逢BCEIA四十周年，会议将继续秉承“分析科学 创造未来”的理念，围绕“辉煌四十载 再谱新篇章”的主题开展学术交流、论坛和仪器展览。

　　半导体材料检测技术论坛”于9月10日下午顺利召开。九位报告嘉宾齐聚一堂，吸引线位业界人士参与，仪器信息网材料物性部主编杨厉哲主持会议。

　　林妙玲的报告聚焦于各向异性材料的角分辨偏振拉曼光谱表征。她首先指出，面内各向异性材料在偏振相关光电器件中具有广泛应用。传统的拉曼张量理论难以准确拟合此类材料的实验数据，而引入虚部（相位）后的拉曼张量则能很好地解决这一问题。为了深入探究其物理根源，谭平恒的团队开发了一种专利保护的测试配置，通过旋转半波片来精确测量微米级样品的角分辨光谱。研究发现，拟合得到的拉曼张量幅度和相位会显著受到样品厚度、衬底和激发光波长等因素的影响，这与拉曼张量应仅取决于材料本身特性的传统认知相冲突。他们进一步将这种差异归因于材料的光学各向异性（如双折射和线性二向色性）以及衬底引起的法布里-珀罗腔效应，这些因素会改变光在晶体内部传播时的偏振状态。通过建立考虑深度积分的“本征拉曼张量”模型和“有效拉曼张量”模型，他们成功实现了对不同厚度黑磷样品角分辨拉曼光谱的定量预测，理论与实验完美吻合。这项工作为理解各向异性材料的拉曼散射过程和发展定量表征方法提供了新思路。

　　席善斌的报告从工程应用角度出发，系统介绍了半导体器件的检测与失效分析技术。他概述了半导体器件的类型以及检测在产品开发、量产和验收各阶段的重要性（如剔除早期失效、验证生产能力、判断批质量）。检测依据包括详细规范、国军标、国家标准等。他详细列举了参数测试、环境试验、寿命试验、物理试验等主要检测项目及常用标准。随后，席善斌重点讲解了物理实验技术，包括非破坏性的外部目检、X射线检查、密封性检测、超声波扫描，以及破坏性的内部目检、键合强度测试、扫描电镜成分分析等，并强调了这些检查在发现封装缺陷、鉴别翻新件、控制工艺质量方面的关键作用。通过大量实际工程案例（如晶圆缺陷、键合不良、装配工艺不当、静电损伤、过电应力、金迁移、氢中毒、腔体内多余物等）生动说明了失效分析的综合流程和重要性，旨在帮助提升元器件可靠性。

　　丁欣的报告展示了HORIBA公司的光学光谱技术在半导体材料表征中的广泛应用。丁欣首先介绍了公司产品线，重点阐述了拉曼光谱作为“指纹光谱”在半导体领域的作用：鉴定物相（如碳化硅晶型、硅结晶形态）、评估材料质量（结晶度、缺陷）、分析掺杂浓度、测量应力（基于峰位偏移）、以及进行光致发光（PL）成像检测缺陷。她强调了高光谱分辨率、高空间分辨率、高灵敏度和无色差设计（尤其对于UV-PL应用）的重要性。报告还介绍了HORIBA公司的原子力显微镜-拉曼联用系统（AFM-Raman）和针尖增强拉曼技术（TERS），后者可将空间分辨率提升至纳米级。此外，丁欣还简要介绍了公司其他用于半导体领域的产品，如椭圆偏振光谱仪（膜厚与光学常数）、辉光放电光谱仪（元素深度剖析）、氧氮氢分析仪（晶片氧含量）、微区X射线荧光（表面污染颗粒分析）以及粒度仪（CMP浆料控制）。最后，也提到了HORIBA位于上海的前沿应用开发中心，致力于与客户合作解决实际问题。

　　徐文涛的报告介绍了苏州实验室电子化学品行业中心的能力建设、服务案例及国产仪器应用探索。该中心旨在支撑电子化学品（如光刻胶、前驱体）的研发、测试评价和应用，重点关注其理化性能和应用性能。中心联合产业资源，建设了包括光刻胶性能验证、曝光测试等关键能力。在方法开发方面，他们利用飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）研究光刻胶中的酸扩散行为，利用石英晶体微天平研究树脂溶解动力学，并牵头制定多项国家标准（如光刻胶曝光产气、浸没式成分溶出分析等）。中心已为众多光刻胶、前驱体企业提供测试服务，支撑了多项关键技术攻关，并定制搭建了特殊表征装置（如前驱体原位生长与表征系统、高通量合成系统）。在国产仪器应用方面，中心积极与国内厂商合作，通过应用示范、对比验证、反馈改进，推动国产科学仪器在半导体领域的应用与发展，并计划联合开展综合性评价。

　　彭金兰报告了用于扫描电镜的原位氮化硅热电芯片的研制及其应用。相比传统的宏观样品台，芯片式加热装置具有热辐射小、升降温快、对电镜真空和成像干扰小等优势。团队选择LP-CVD氮化硅薄膜制备芯片，因其高温稳定性和耐腐蚀性优异。他们解决了工艺难题，成功制备出低热负载的氮化硅悬空膜芯片，并对其进行了温度标定（误差

　　5%）和性能测试（空载升温时间可达几十微秒）。他们将此系统集成到国仪5000x扫描电镜中，实现了线°c的稳定加热和温度控制，且对电镜真空和红外辐射影响极小。应用案例包括：绝热材料形貌变化观察、钛合金相变与元素分布研究、铁钴底钢相变过程观察、以及功能材料相变研究，证明了该系统的可靠性和实用性。最后，中科大微纳中心作为一个开放共享的平台，拥有先进的微纳加工和测试设备，为用户提供一站式的代工服务。

　　华佑南的报告介绍了胜科纳米在芯片失效分析领域的实践，并重点提出了一种用于晶圆级质量控制的OSAT方法。他将胜科纳米比作“芯片全科医院”，提供从材料分析、失效分析到可靠性分析的全方位服务。针对芯片封装中键合点不沾银导致的失效问题，他提出了OSAT联合分析流程作为晶圆出厂前的质量评估标准：O-光学显微镜、S-扫描电子显微镜、A-俄歇电子能谱和T-透射电子显微镜。他通过半导体晶圆上铝焊盘的案例分析展示了如何利用此方法识别氟铝氧化物污染及其形成机理，并强调了AES（俄歇电子能谱）相对于EDS在检测表面痕量污染方面的优势。华佑南提倡，将OSAT方法发展为国家标准，以提升中国制造的质量管理水平。最后，华佑南介绍了胜科纳米与新加坡高校联合培养半导体失效分析与可靠性专业人才的项目。

　　李晨晖的报告从产业互联网平台（我要测网、仪器信息网）的视角，基于大数据分析了半导体材料检测行业的现状与趋势。他指出半导体材料产业具有“复杂、专、小市场”的特点，但近年来关注度和需求增长迅速。第三方检测市场中，半导体等新兴领域检测机构数量增长强劲。我要测网的送检数据表明，半导体、新材料等领域的需求旺盛。李晨晖介绍了其公司通过两大平台（B2B仪器采购、检测交易平台）、行业媒体、专业社区）、人才招聘等服务科学仪器厂商和检测机构，助力其数字化营销。在半导体领域，通过组织线上线下会议、开展国产仪器评选与推广（如“国产好仪器”、“国仪高品”项目）、拍摄专业纪录片、与头部检测机构（如胜科纳米、广电计量）深度合作等方式，推动行业技术交流、品牌建设和国产化进程。最后，介绍了平台正在进行的特色活动（微课大赛、原创大赛）以及为庆祝我要测网15周年推出的助力检测机构发展计划。

　　马洪涛的报告概述了其实验室常用的失效分析设备及其在材料研究中的应用。北软检测主营半导体器件及组件的失效分析。他介绍了失效分析在产品全生命周期中的重要性及服务对象。并详细介绍了各种设备：光学显微镜用于初始目检；探针台+参数分析仪用于芯片电性测试；X射线用于无损内部结构检查；超声波扫描用于检测内部分层；微光显微镜和红外显微镜用于定位失效点和背面观察；双束电镜用于截面制备、精细形貌观察、缺陷分析、微纳加工（如沉积电路）和成分分析；研磨抛光用于制备观察断面。他强调失效分析与材料研究相互支撑，通过材料认知和设备表征可以反馈改进产品工艺和质量。最后，他简要介绍了企业的背景和实验室的其他安全检测业务。

　　丁阳的报告重点介绍了透射电子显微镜（TEM）和聚焦离子束（FIB）技术在半导体材料与器件分析中的关键作用。随着半导体技术进入纳米尺度，材料的性质极大程度上取决于原子尺度的结构、缺陷、成分和应变，而FIB和TEM是研究这些特性的强大工具。FIB如同“纳米手术刀和3D打印机”，可用于精确截面制备、微纳结构加工、电路修改和修复，以及制备TEM、原子探针等所需的高质量薄片样品，还能进行三维成分重构。TEM则是“洞察原子世界的眼睛”，可提供原子分辨率的成像（如HRTEM, HAADF-STEM）、晶体结构信息和化学成分/价态分析。他通过多个案例展示了FIB-TEM技术在半导体工艺开发、失效分析缺陷观察、晶体结构解析、热电材料、电池材料、催化材料等领域的广泛应用。他总结指出FIB与TEM的联用是现代分析技术的核心驱动力，并展望了自动化、智能化以及性能进一步提升的方向。最后，丁阳介绍了中科院半导体所开放共享的先进加工和测试平台。

　　第二十一届北京分析测试学术报告会暨展览会（The 21st Beijing Conference & Exhibition on Instrumental Analysis，BCEIA 2025）将于2025年9月10-12日(学术报告会9日报到、13日离会) 在北京·中国国际展览中心（顺义馆）召开。2025年适逢BCEIA四十周年，会议将继续秉承“分析科学 创造未来”的理念，围绕“辉煌四十载 再谱新篇章”的主题开展学术交流、论坛和仪器展览。

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